I0250 - SAMOS-Speicher-Baustein-Entstehung im Gießharzblock
Bezeichnung
SAMOS-Speicher-Baustein-Entstehung im Gießharzblock
Inventarnummer
I0250
Standort (Schrott)
Sammlungszugehörigkeit
Klassifikation ALT
Herstellung
Schlagworte
IBM
Gießharzblock
Chip
Speicher-Baustein
SAMOS
Demo-Modell
Demonstrationsobjekt
Wafer
Maße (LxBxH in mm)
?????
Gewicht (in g)
?????
Material
Eigentümer
Bild
Ansicht
Objektgeschichte /-beschreibung
Wafer mit 15 Millionen Speicherelementen, ein daraus gefertigter Chip und ein Speicher-Modul mit 4 Chips im Gießharzblock. Ein Chip kann 64 kBit speichern (RAM). Speicherelement ist eine 1-Transistor-Zelle in FET-Technik.
Literatur: ZD-I0250 (TR12.1.1)